[Depo] 증착공정 비교 - PVD, CVD

PVD vs CVD 비교

	PVD	CVD
증착 물질	다양한 물질 증착가능 주로 금속증착	전구체 물질 찾기 까다로움 주로 산화물 증착
반응	기화, 승화 (화학반응X)	화학반응
온도	저온 (450~500℃)	고온 (반응에너지, 열분해) (600~1000℃)
진공	고진공	대기압 ~ 중진공
오염	고순도(오염이 적음)	PVD에 비해 오염
step coverage	나쁨	좋음
종류	evaporation(thermal, e-beam) sputtering(DC, RF)	APCVD LPCVD PECVD HDPCVD(증착과 스퍼터링 동시에)

 

PVD (Pysical Vapor Deposition)

: 물질을 기화, 승화시켜 기판 표면에 날아가 박막 형성

물질의 직진성을 이용하여 박막을 형성하기 때문에  S/C가 낮다

→ hole의 옆면에는 박막이 형성되기 어렵다

낮은 공정온도

→ 이미 증착된 다른 막에 끼치는 영향이 적다

고진공에서 박막을 형성하고, 불필요한 화학가스를 사용하지 않아 박막의 순도가 높다

→ 화학반응에 사용되는 화학가스와, 반응 부산물이 금속배선에 결함을 발생기킬 수 있어 금속배선 공정에서는 주로 PVD 방식으로 막 형성

→ 고진공을 형성하는 고가의 장비 필요

 

CVD (Chemical Vapor Deposition)

: 전구체 물질의 화학반응을 이용하여 박막 형성

물질의 확산반응, 기판 표면에서 화학반응을 이용하기 때문에 PVD에 비해 S/C가 높다

→ 주로 SiO2 절연막을 증착할 때, 사용

→ 박막의 치밀도와 표면접착력이 높다

높은 공정온도

→ 이미 증착된 다른 막에 영향을 줄 수 있어서 적용할 수 있는 공정이 제한적

고진공을 사용하는 PVD에 비해 낮은 진공도

→ 증착속도가 빠르고, 넓은 면적에 증착 가능