글쓰기 반도체/반도체 소자3 [반도체소자] DRAM, NAND 비교 DRAM 1T 1C 구조 capacitor가 충전되어 있으면 '1' , 방전되어 있으면 '0' Tr에 전원을 공급해 주지 않으면, Capacitor에 저장된 전하가 누설되며 data를 잃어버림 주기적으로 capacitor에 전원을 공급하여 data를 저장 사실 디램 궁금하지 않아 난 낸드만 팔꺼니까........! NAND Flash Floating Gate를 절연층이 6면으로 둘러싸고 있어, Floating Gate에 쌓인 전자가 탈출하지 못하여 데이터를 저장 Floating 구조로 인해 Top Gate에 전압이 인가될 때, S/D 사이 채널형성에 기여하는 실질적 전압이 줄어듦 → DRAM에 비해 스위칭 속도가 느리다 DRAM vs NAND DRAM NAND 종류 휘발성 메모리 비휘발성 메모리 동작 속.. 2022. 11. 5. [반도체소자] MOSFET MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) MOS : Metal과 Oxide와 Semiconductor가 결합된 형태 (적층구조) FET : 전계효과를 이용하여 전류의 흐름을 제어하는 트랜지스터 원리 Metal Gate에 인가되는 전압의 양을 조절해서, Source와 Drain 사이에 흐르는 전류를 제어 NMOS n type mosfet 소스와 드레인 사이에 형성되는 채널이 n type 소스와 드레인이 n type 도핑 Gate에 (+) 전압을 가해주면, P기판의 정공이 채널층에서 밀려나고, 전자가 채널층으로 이동하여 전자가 흐를 수 있는 N-채널이 생성됨 소스에 (+), 드레인에 (-) 전압을 가해주면, 전류가 채널을 통해 소스에서 드레인으.. 2022. 11. 5. [반도체소자] 다이오드, 트랜지스터 다이오드 (Diode) - 전류가 한 방향으로만 흐르도록 하는 반도체 소자 - pn 접합 - Si에 5족원소를 도핑하여 n형, 3족 원소를 도핑하여 p형 실리콘을 만든다 - n형에는 자유전자가, p형에는 정공이 형성됨 - n형과 p형의 접합부에 자유전자와 정공이 결합하여 공핍층 생성 정방향 바이어스 p형에 (+) 전압, n형에 (-) 전압을 걸어주면 (+)전압에서 발생한 정공이 p형 내부 정공을 밀고, (-)전압에서 발생한 전자가 n형의 전자를 밀어서 전자와 전공이 공핍층영역으로 이동하며 공핍층이 줄어들게 됨 공핍층이 줄어 n type의 전자가 p type 으로 이동하고 p type의 정공이 n type쪽으로 이동하며 전류가 흐름 전류의 흐름 : (+) → (-) 전자의 흐름 : (-) → (+) 트랜지.. 2022. 11. 5. 이전 1 다음 반응형
