글쓰기 반도체/Etch1 [Etch] Wet Etch, Dry Etch Etch 포토 공정에서 PR막이 형성된 상태에서, 화학/물리적 반응을 이용하여 PR이 제거된 부분의 박막을 제거하여 미세 회로패턴을 형성하는 공정 파라미터 - 식각률 (Etch rate) 일정 시간동안 제거할 수 있는 박막의 정도 반응성 원자(이온)의 양, 종류, 에너지 - 식각 프로파일 식각된 단면의 모양 얼마나 직각으로 식각되었는지 - 선택도 (Selectivity) 특정 재료만 식각하는 능력 (S = 식각을 원하는 물질/식각을 원하지 않는 물질) 박막과 마스크, 박막 밑 물질과의 선택비 고려 - 균일도 (uniformity) 식각이 이루어지는 속도가 웨이퍼 상의 여러 지점에서 동일한 정도 웨이퍼의 크기가 커질수록 중요도 증가 - 손상 - 압력 시각환경의 압력이 낮아질수록 MFP 가 증가하여 비등방성.. 2022. 5. 10. 이전 1 다음 반응형