글쓰기 반도체13 [Depo] PVD - evaporation, supttuering PVD (Physical Vapor Deposition) 물리적 반응으로 증기를 이용해서 박막 형성 반도체 공정에서 주로 금속배선을 형성하는 데 사용 evaporation - 열 에너지로 타겟 물질을 휘발시켜 기판위에 증착 - low adhesion, bad step coverage, bad uniformity 장점 간단하고 저렴한 공정 plasma 생성장치 필요X - 단점 박막의 품질이 떨어짐 1. thermal (저항 가열 증착) 전기를 이용해서 증발원 가열 녹는점이 높은 금속 히터에 박막원료를 놓고, 히터에 전류를 흘려 가열 2. e-beam (전자빔 가열 증착) 전자빔 (e-beam)을 타겟에 쬐어 타겟만 직접 가열 sputtering 이온 충돌에 의해 고체 표면에 위치한 원자가 방출되어 기판위로.. 2022. 5. 8. [Depo] ALD Process ALD (Atomic Layer Deposition) 반응가스의 표면 흡착반응을 이용하여 원자층 단위로 박막을 형성하는 증착법 흡착 1. Chemical Bond 원자들 간에 힘이 작용하여 안정한 화합물을 형성하기 위한 결합으로, 결합력이 강하다 (화학흡착) - 이온결합 : 전기음성도 차이가 큰 원자들 사이의 결합으로 일반적으로 양이온과 음이온 사이의 결합 - 공유결합 : 전기음성도 차이가 작은 원자들 사이의 결합으로 전자쌍을 두 원자가 공유하는 형태의 결합 - 금속결합 : 금속원자의 전자들이 떨어져나와 자유전자를 형성하는 결합 2. 분자간력 서로 다른 두 분자의 약한 정전기적 인력에 의한 결합으로 화학결합에 비해 결합력이 약하다 (물리흡착) - 수소결합 : 전기음성도가 큰 원자(F, O,N)가 이웃한 .. 2022. 5. 5. [Depo] PECVD - SiO2 증착 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 1. plasma - 물질의 제 4의 상태 - 기체분자에 강력한 에너지를 가하여 전자, 양이온, 중성자로 나누어진 상태 - 높은 전기전도도와 반응성 - 전체적으로는 전기적 중성 챔버내부에 높은 전계를 가해주면 아래와 같은 현상이 일어나며 플라즈마가 생성된다 - Ionization (이온화) : RF에 의해 가속화된 입자가 다른 원자와 충돌하여 양이온과 전자로 분리됨 분리된 전자는 다시 가속화되어 다른 원자를 이온화 e⁻ + Ar → 2 e⁻ + Ar ⁺ - Dissociation (분리/해리) : RF에 의해 가속화된 입자가 다른 분자와 충돌하여 Free Radical (홀전자를 가진 원자 또는 분자) 생성 e⁻ +.. 2022. 5. 5. [Depo] LPCVD - poly-si 증착 LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 1. 낮은 압력 - 반응가스가 챔버 내에서 빠르게 확산되어 여러장의 웨이퍼에 골고루 증착할 수 있다(volume expansion 효과) - 챔버 내 오염물의 영향이 줄어든다. - 표면에서 반응가스의 이동속도가 느려져서 표면반응을 일으킬 수 있다 2. 높은 온도 - 반응에 필요한 에너지를 높은 온도를 통해 공급(furnace를 이용하여 챔버 내부를 가열) 3. 더미 웨이퍼 - 웨이퍼 앞 공간이 넓을 수록 기체와 반응할 확률이 올라가기 때문에 film의 두께가 더 두껍게 증착된다. - boat 위 slot이 등간격이 되어야 함 * MFP(Mean Free Path : 평균자유행로) : 어떤 입자가 다른 입자와 충돌하기까지 .. 2022. 5. 4. 이전 1 2 다음 반응형
