[TFT] a-Si, Oxide(IGZO), LTPS, LTPO 비교

TFT (Thin Film Transistor)

 

- FET(Field Effect Transistor)의 한 종류로 특정 전압 이상이 가해지면 전류를 제어하는 스위칭소자

- LCD는 빛의 세기를 조절하기 위해 각 서브픽셀마다 1개의 tft 존새 (1t1c 구조)

- OLED는 각 서브픽셀마다 구동 tft와 스위칭 tft 존재 (2t1c 구조)

- 채널반도체(활성층)의 종류에 따라 a-Si, Oxide, LTPS로 나뉨

	a-Si TFT	Oxide(IGZO) TFT	LTPS TFT
전하이동도	0.5 ~ 1 cm2/ Vs	1 ~ 40 cm2/ Vs	10 ~ 500 cm2/ Vs
생산균일성	우수	양호	불량
비용	낮음	보통	높음
활용	범용 LCD	대형 LCD 대형 OLED	소형 LCD 소형 OLED
장점	낮은 공정 난이도 낮은 비용	↔ a-Si tft의 공정을 그대로 사용할 수 있어 비용측면에서 효율적	높은 전자이동도
단점	낮은 전자이동도 대형화, 고해상도 어려움	낮은 누설전류 대형화 가능	대형화하기 높은 공정 비용
결정구조
TFT 구조

* single crystal silicon (단결정실리콘)

단결정 실리콘을 성장시키기 위해서는, 실리콘의 용융점임 약 1400℃도 이상의 온도를 유지해야 한다

따라서 유리기판을 사용하는 디스플레이 공정에서 사용할 수 없다

→ LTPS tft에서 비정질 실리콘을 다결정 실리콘을 만들기위해 레이저를 이용한 ELA(Excimer Laser Annealing)공정 

 

LTPO TFT

- LTPS TFT 공정에서 하나의 트랜지스터를 Oxide로 변경한 구조

- 2T 1C 구조의 OLED 패널 TFT에 사용

- 빠른 화면전환속도와 낮은 누설전류로 중소형 모바일 디스플레이 패널에 적용 EX) 스마트폰, 워치

 

LTPS TFT

- 높은 전자이동도로 빠른 화면전환 → 구동 TFT (빛양 조절)

Oxide TFT

- 전자이동도는 LTPS보다 낮지만 누설전류가 적음 → 스위칭 TFT (on/off)

장점

- 높은 전자이동도로 고속회로 구현가능 -> 트랜지스터 크기를 줄여 고해상도 구현

(전자이동도가 높으면 단위면적당 더 많은 전류를 흘릴 수 있기 때문에 트랜지스터의 면적을 줄여서 소형화해도 충분한 전류를 공급할 수 있다)

전자이동도

- 낮은 소비전력으로 모바일 기기에 적합

단점

- 공정이 복잡하고 수율이 떨어짐 -> 대형화에 어려움

 

 

 

2022.05.19 - [공부기록/디스플레이] - [TFT] LTPS 제조공정

[TFT] LTPS 제조공정