[TFT] LTPS 제조공정

LTPS (Low Temperature Poly Silicon) TFT

 

비정질 실리콘(a-Si)을 결정화 하여 crystal Silicon을 만들기 위해서는 실리콘의 용융점인 1400℃ 이상의 온도가 필요하다

그러나 유리기판(700℃)이 온도를 견디지 못하기 때문에, 레이저를 사용해서 a-Si을 poly-Si으로 만든다 (ELA 방식)

이때, 공정의 온도가 500℃ 정도로 상대적으로 낮기 때문에 Low temperatur poly silicon(LTPS)라는 이름이 붙었다

 

 

 

 

 

 

LTPS 제조공정

 

1. Glass 세정

 

2. Buffer층 증착 (PECVD)

후속 공정에서 glass 내의 불순물이 Active층(Poly-Si)으로 이동하는 것을 막아줌

 

3. a-Si 증착 (PECVD)

 

4. ELA (Excimer Laser Annealing)

레이저를 a-Si에 쏘아주면, a-Si이 순간적으로 녹았다가 재결정되면서 Poly-Si으로 변화

 

5. Active층 (poly-Si) 패터닝

포토리소그래피공정을 통해 활성층 패터닝

 

6. 절연층 증착 (PECVD)

 

7. Gate 금속 증착 (Sputter) -> 패터닝(포토공정)

 

8. 이온도핑 (Source/Drain 형성)

Active 층에 S/D이 컨택될 때, Contact 저항을 낮춰줌

 

9. 절연층 증착 (PECVD)

 

10. Contact Hole 생성 (식각공정)

 

11. Source/Drain 전극 증착 (Sputter)

 

 

12. Via Hole 생성

Via(유기절연물 층)을 생성하여 픽셀층이 올라갈 수 있게, 픽셀 하부를 평탄화하고

Anode를 형성할 Contact Hole 생성

 

13. Anode 전극 증착 (Sputter)

Anode 전극을 증착하여 상부 발광층과 하부 TFT 층을 연결

유기발광층에 전류를 공급해주어, 발광층에서 빛을 생성

 

 

 

 

 

 

2022.05.05 - [공부기록/디스플레이] - [TFT] a-Si, Oxide(IGZO), LTPS, LTPO 비교

[TFT] a-Si, Oxide(IGZO), LTPS, LTPO 비교