[반도체소자] DRAM, NAND 비교

DRAM

1T 1C 구조

capacitor가 충전되어 있으면 '1' , 방전되어 있으면 '0'

Tr에 전원을 공급해 주지 않으면, Capacitor에 저장된 전하가 누설되며 data를 잃어버림

주기적으로 capacitor에 전원을 공급하여 data를 저장

 

사실 디램 궁금하지 않아

난 낸드만 팔꺼니까........!

 

 

NAND Flash

Floating Gate를 절연층이 6면으로 둘러싸고 있어, Floating Gate에 쌓인 전자가 탈출하지 못하여 데이터를 저장

Floating 구조로 인해 Top Gate에 전압이 인가될 때, S/D 사이 채널형성에 기여하는 실질적 전압이 줄어듦

→ DRAM에 비해 스위칭 속도가 느리다

 

https://news.skhynix.co.kr/post/dram-and-nand-flash

 

 

 

DRAM vs NAND

	DRAM	NAND
종류	휘발성 메모리	비휘발성 메모리
동작 속도	빠름	DRAM보다 느림
용량	NAND보다 작다	크다
gate 개수	1개	2개
구조	MOSFET(스위칭)과 캐패시터(데이터 저장)가 분리되어 있음	MOSFET(스위칭) 내부에 캐패시터(데이터 저장) 구조를 가지고 있음 Floating Gate 구조
	1Tr, 1C	1Tr
집적도	Tr과 캐패시터를 분리하여 표면적이 커짐 -> 집적도 낮음	Tr내부에 캐패시터가 있는 구조로 집적도가 높음